Anti əksedici filmin istehsal prosesi

Texnoloji proses
Böyümə materialları və qaz mənbələrini təmin edin: SIH ₄, N ₂ O, N ₂ O, N ₂ O, N ₂ O və N ₂ qaz mənbəyi birləşmələri kimi böyümə materiallarına uyğun qaz mənbələri olan Sio kimi əks-sie əks etdirən film üçün böyümə materiallarını təmin edin.
Antiplection Layerin meydana gəlməsi: Substrat qatında ən azı iki anti əksedici bir film anti-əksinə antiplection təbəqəsi ardıcıl olaraq formalaşdırılması üçün eyni böyümə materialından istifadə edin. Substrat qatında film böyüməsi istiqamətində ardıcıllıqla Sio Lay, SI qat və udma təbəqəsi daxil ola bilər. Nümunə olaraq iki qatlı anti əksini (ilk əks-bir antiplection lay və ikinci antiplection layneri) götürərək, epitaksial böyümə prosesi (məsələn, plazma inkişaf etmiş kimyəvi buxarlanma çökmə metodu pecvd) tərəfindən formalaşmışdır. Xüsusi addımlar aşağıdakılardır:
Substratın işlənməsi: Substrat qatında yarımkeçirici təmizləyici prosesdən sonra substrat qatını CVD çökmə cihazlarına qoyun.
Avadanlıq Parametr Parametrləri: CVD çöküntü avadanlıqlarının yuxarı elektrod temperaturunu 200-300 dərəcəsinə və aşağı elektrod temperaturuna nəzarət edin 250-350 dərəcəsinə qədər.
İlk antiplection qatının böyüməsi: SIH ₄, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, N ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o 1. 4-1. 71.
İkinci əleyhinə bir antiplection qatının böyüməsi: SIH ₄, n ₄ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, n ₂ o, ikinci qaz təzyiqi, ikinci qaz təzyiqi, ikinci qaz çöküntü avadanlıqlarının ikinci rf gücü, ikinci nazik film çöküntüsü vaxtı və ya hər hansı bir birləşməsi və refraktiv bir indeks çeşidi. 4-1. 71.

Texnoloji üstünlüklər
Eyni böyümə materialından istifadə edərək, antiplection filmi, müxtəlif materialların yığılmış anti əksi filmi ilə müqayisədə eyni əks-konfransma təsirinə, istifadə olunan qaz mənbələrinin çətinliyini azaltmaq və hazırlıq prosesi zamanı qaz mənbələrinin və iş sahəsinin artırılması və işləmə prosesinin artırılması və istifadəsi prosesi zamanı hazırlıq sahəsinin və iş sahəsinin artırılması.

Hibrid Sio ₂ / tio ₂ anti-əks filmin istehsal prosesi

Texnoloji proses
Substratın hazırlanması: Şüşə, üzvi şüşə, poliyimid filmi və s. Kimi şəffaf substratları seçin və təmiz və tozsuz bir səthin təmin edilməsi üçün ləkələnmə müalicəsini yerinə yetirin. Lazım gələrsə, yüngül ötürmə səmərəliliyini yaxşılaşdırmaq üçün tək tərəfli və ya iki tərəfli cilalama edilə bilər.
Film Precursorunun hazırlanması: Tetraethoxysilane (Teos) və Tetrabutil Titanate (TBT), NH ₄ oh oh olan etanola, şəffaf bir sol - gel sistemi əldə etmək üçün 9-12 saat üçün reaksiya keçirilir.
Örtük və müalicə: Hazırlanmış Sol Gel sistemi şəffaf substratda bərabər şəkildə örtülmüşdür və spin örtük, çiləmə, fırçalamaq və digər sxemlərdən istifadə edilə bilər. Örtükdən sonra hibrid Sio ₂ / tio ₂ Film precursoru, çox qatlı bir quruluş meydana gətirərək müalicə və təmizlənmə müalicəsi üçün bir sobada yerləşdirilir.
Dairəvi örtük: İstədiyiniz antiplective effekti əldə olunana qədər örtük və müalicə prosesini təkrarlayın. Fərqli örtüklər və ardıcıllıqlar anti əksedici filmlərin performansına təsir edəcək, tədqiqat və optimallaşdırma lazımdır.
Səthi müalicə: Antiplicile filminin davamlılığını və dayanıqlığını artırmaq üçün, anti əksedici filmin səthində hidrofilik və hidrofobik polimer qatını örtə bilərsiniz.

İnfraqırmızı əksər filmin istehsal prosesi
Texnoloji proses
İnfraqırmızı anti əksi filmi silikona əsaslanır və substratın hər iki tərəfində anti əksedici filmlər ilə örtülmüşdür. Antiplection Filminin film sistemi quruluşu bir-birindən (HL) ^ s kimi müstəqildir SI təbəqəsi substrata bitişikdir və Sio təbəqəsi səthdə yerləşir. Kaplama prosesi, film qatını substrata bağlamaq üçün istifadə olunur, yüksək səth sərtliyi olan və əlavə qoruyucu təbəqə tələb etməyən ən xarici təbəqə kimi Sio film təbəqəsi ilə substrata qoşulmaq üçün istifadə olunur. Bundan əlavə, Sio, səthi əks olunmanı azalda və infraqırmızı ötürməyi daha da artırmaq üçün daha aşağı refraktiv bir indeksə malikdir.

Yüksək temperatur davamlı co ₂ lazer anti əksedici filmi istehsal prosesi
texnoloji proses
Material Pre Melling: Ayrı-ayrı əvvəlcədən ərimiş müalicəsi, film materialları içərisində çirkləri çıxarmaq üçün YTTrium Fluoride, Kalsium Yttrium Fluoride və Zink Selenide film materialları üzərində aparılır.
Depozit film təbəqəsi: ilk yttrium fluoride təbəqəsi, yttrium kalsium flüoride təbəqəsi, sink selenide təbəqəsi və ikinci yttrium fluoride təbəqəsi ardıcıl olaraq 3 ± 0 qalınlığı olan bir sink selenide substrat təbəqəsinə yatırılır. 1 mm vakuum buxarlanması ilə 1 mm. Hər qatın əhatə dairəsi substrat qatının səth sahəsinin 95% -dən çoxudur. Hər təbəqə üçün fiziki qalınlıq tələbləri aşağıdakılardır: ilk yttrium fluoride qatının fiziki qalınlığı 95-100 nanometrdir; Ytterbium kalsium fluoride qatının fiziki qalınlığı 860-870 nanometrlər; Sink selenide qatının fiziki qalınlığı 240-250 nanometrlərdir; İkinci yttrium fluoride qatının fiziki qalınlığı 95-100 nanometrdir.
 

Texnoloji üstünlüklər
Hazırlanmış antiplection membranı sadə bir quruluşa və incə dizayna malikdir. Dörd qat birləşməsi yüksək temperatur müqavimətinin, yüksək ötürmə, membran təbəqəsinin, membran təbəqələri arasında tamamlayıcı stressin xüsusiyyətlərinə malikdir və membran təbəqələrinin yırtılmamışdır. Yüksək temperatur şəraitində komponentlərin davamlı işləməsinə cavab verə bilər və hər qatda istifadə olunan materiallar operatorlara və ətraf mühitə zərər verməyən radioaktiv olmayanlardır.